等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 鍍膜設備_MV-LH06K
一套在線多腔體準動態PECVD設備，在單晶硅片正背面沉積本征非晶硅和摻雜納米硅薄膜層。
設備優勢
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01Inline多腔體準動態PECVD鍍膜技術
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02分層高品質非晶硅鈍化鍍膜技術
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03PECVD采用獨特曲面showerhead放電陰極設計結構
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04大尺寸、輕載荷、低熱膨脹系數、高平面度的復合載板設計
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05Inline耐腐蝕磁流體真空傳送大尺寸載板
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06RF快速啟輝設置
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設備展示
基本信息
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1. 產能（ 片/ 小時） 及硅片尺寸*：17280片@G12半片；19400片@G12半片